ICP-Ätz- und Beschichtungscluster „Sentech SI 500 C/D“

ICP-Ätz- und Beschichtungscluster „Sentech SI 500 C/D“

Reaktives Ionenätzen (RIE) und Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) mit induktiv gekoppelten Plasmen (ICP) bei 13,56 MHz

RIE-Modul „SI 500 C“

•     Strukturübertragung für Silizium- und Silizium-Organik-Hybrid-Technologie
•     Erzeugung photonischer Strukturen
•     Tiefes Silizium-Ätzen mit Bosch- und Kryo-Prozess
•     In-Situ-Diagnostik mit optischer Emissionsspektroskopie (OES) und interferometrischen Verfahren
•     Prozessgase: CF4, C4F8, SF6, H2, O2, N2, CH4, Ar, He
•     Prozessdrücke von 0,1 bis 10 Pa
•     Maximale Wafergröße 200mm

PECVD-Modul „SI 500 D“

•     Beschichtung mit Polysilizium, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitriden, DLC und Polymeren
•     In-Situ-Diagnostik mit OES und interferometrischen Verfahren
•     Prozessgase: CF4, CH4, NH3, H2, SiH4, O2, N2, Ar, He
•     Prozessdrücke von 0,1 bis 10 Pa
•     Maximale Wafergröße 200mm