ICP-Ätz- und Beschichtungscluster „Sentech SI 500 C/D“
Ätzanlage zum Strukturieren von Si-Wafern

ICP-Ätz- und Beschichtungscluster „Sentech SI 500 C/D“

ICP-Ätz- und Beschichtungscluster „Sentech SI 500 C/D“

Reaktives Ionenätzen (RIE) und Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) mit induktiv gekoppelten Plasmen (ICP) bei 13,56 MHz

RIE-Modul „SI 500 C“

  •     Strukturübertragung für Silizium- und Silizium-Organik-Hybrid-Technologie
  •     Erzeugung photonischer Strukturen
  •     Tiefes Silizium-Ätzen mit Bosch- und Kryo-Prozess
  •     In-Situ-Diagnostik mit optischer Emissionsspektroskopie (OES) und interferometrischen Verfahren
  •     Prozessgase: CF4, C4F8, SF6, H2, O2, N2, CH4, Ar, He
  •     Prozessdrücke von 0,1 bis 10 Pa
  •     Maximale Wafergröße 200mm

PECVD-Modul „SI 500 D“

  •     Beschichtung mit Polysilizium, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitriden, DLC und Polymeren
  •     In-Situ-Diagnostik mit OES und interferometrischen Verfahren
  •     Prozessgase: CF4, CH4, NH3, H2, SiH4, O2, N2, Ar, He
  •     Prozessdrücke von 0,1 bis 10 Pa
  •     Maximale Wafergröße 200mm

Ansprechpartner Dr.-Ing. Friedhelm Heinrich Dr.-Ing. Friedhelm Heinrich

Tel.: +49 3375 508 429
Mail: friedhelm.heinrich@th-wildau.de

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