KoSi - Messverfahren zur Kontrolle tiefer Siliziumstrukturen für die 3D-Chip-Integration
Netzwerkprojekt im Kooperationsnetzwerk Graphen
Titel:
Messverfahren zur Kontrolle tiefer Siliziumstrukturen für die 3D-Chip-Integration -KoSi-
Kurzform:
KoSi
Kurzbeschreibung:
Ziel des Vorhabens ist die Entwicklung eines optischen Messsystems zur Vermessung und technologischen Kontrolle von TSV (Through-Silicon Via) -3D Technologien, zur Verbesserung der Ausbeute und zur Unterstützung neuer integrationssteigernder Entwicklungen. Die Einbeziehung der Waferrückseite und das Wafer- oder chip-stacking mit Hilfe der TSVs eröffnet die Möglichkeit neue und hochintegrierte Sensoren, MEMs, Fluidik- und photonische Bauelemente in die Halbleiterfertigung zu integrieren.
Mitarbeiter:
Francesco Villasmunta, Joachim Bauer
Laufzeit:
01.01.2020 - 30.09.2022
Projektvolumen:
189.820 €
Kooperationspartner:
SENTECH Instruments GmbH,
X-FAB MEMS Foundry GmbH,
IHP- Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Mittelgeber/Förderprogramm:
BMWi, ZIM
Projektträger:
VDI/VDE
Ansprechperson: